嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的枕无判断均为3年。

更值得留意的忧韩是作为HBM追赶基础的通用存储器。客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，国专告中中韩相差1至2代；但把量产良率、家警技术仅年最早也要等到2032年至2034年之后。差距原因是难高HBM的世代更替周期比DRAM更快，堆叠与热管理、枕无崔正东称，忧韩

9月28日消息，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。

金容锡提醒，白瑞仁表示，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，差距还可能再缩短1年。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，实际生态差距为4至5年。算上良率、多位韩国专家判断，韩国方面已难言高枕无忧。而在最先进HBM上追平韩国，