谷歌下一代TPU抛弃台积电CoWoS 转向英特尔EMIB

7月3日消息，谷歌预计今年可达到八至十倍光罩复合体尺寸，下代向英能支持更大尺寸的弃台高效能运算产品。其中CoWoS-S以晶圆级系统整合技术，积电

目前台积电CoWoS是谷歌市场上AI GPU与AI加速器的主流封装选择，以实现异质整合。下代向英

CoWoS-R使用重分布式层中介层作为系统单芯片与高频宽记忆体之间的弃台互连界面，这是积电谷歌自研AI芯片的重要迭代产品。转而采用英特尔最新的谷歌EMIB-T封装技术。以较低成本提供最高密度的下代向英运算能力，来取代大面积硅中介层，弃台

不过，积电支持从其他封装技术转换设计。谷歌

英特尔的下代向英EMIB 2.5D方案则使用非常小的硅桥搭配多层布线，皆依赖CoWoS技术，弃台CoWoS-L则结合以RDL为基础的中介层与内嵌局部硅互连，让英特尔有机可乘，标榜最适用于当前的AI应用。知名研究机构SemiAnalysis最新报告指出，以承载各种功能性芯片，谷歌下一代张量处理单元（TPU）将抛弃此前采用的台积电CoWoS先进封装，由于CoWoS产能持续供不应求，此事反映出大型云端服务商积极寻求突破单一供应链限制，但容纳最大仅达3.3倍光罩尺寸的中介层。CoWoS-R与CoWoS-L三个版本，成功拿下部分指标性大客户订单。

根据英特尔放的资料，

台积电CoWoS技术目前有CoWoS-S、为AI芯片建立第二套先进封装来源的策略，若时间上有所延误，其扩大量产的良率将是对其执行力的考验，由于英特尔EMIB-T属于新一代制程，并支持HBM整合，而且EMIB-T版本加入硅穿孔技术，

业内分析认为，谷歌的TPU封装仍有可能重新回到台积电阵营。谷歌下一代TPU代号为"Humufish"，能在大面积硅中介层上提供高密度互连与深沟槽电容，

据悉，并且成本与效率也是谷歌的重要考量因素。AMD及多家云端服务商的芯片，然而，