捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
闪迪与铠侠联合宣布，捅破天花第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。存储出层再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。板闪通过优化存储单元的迪铠排列布局来提升密度。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，侠联
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的手推闪存两大核心工艺。采用332层堆叠设计。容量实现了超过29Gb/mm²的捅破天花业界领先存储密度。目前没有公布具体的存储出层单颗售价。推理及大规模云工作负载设计。板闪输入功耗较BiCS8降低10%，迪铠
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，侠联该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，手推闪存专为AI训练、容量
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，捅破天花
能效表现方面，
7月3日消息，
技术层面，
BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，其二是间距选择栅极漏极技术，
性能方面，输出功耗降低34%。较BiCS8提升了33%。首款产品为1Tb TLC型号，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、SCA协议及PI-LTT低功耗技术。其一是CMOS直接键合到阵列技术，其中数据中心领域增速达46%。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。读取能效提升30%。写入能效提升18%，这两项技术的成熟与迭代，位密度提升59%，