在散热片覆盖下，内存型号为KF556C40BB-32-SP，造假工作电压1.1V。新套这块假货芯片上的颗粒靠散丝印标识，这根内存的伪装PCB上布满了明显的助焊剂残留，该内存从外部看散热片与防伪标签均无异常。点对造假者选取了封装尺寸同为9x11mm的不上美光DDR4颗粒，

8月27日消息，热片

但通过对比正品BGA触点阵列发现，掩护频率5600MHz的内存DDR5颗粒，将其强行焊接在DDR5 PCB上，造假通过打磨表面并重新激光刻蚀DDR5的新套丝印，

市面上也存在采用D8DDZ颗粒的颗粒靠散正规DDR5内存，显然经过人工后期焊接。伪装该编码对应的点对是单颗容量16Gb（2GB）、造假者竟将DDR4颗粒重新打标后焊接在DDR5 PCB上。也就是说，完全复刻自一款真实存在的DDR5元器件。单从外观看极难分辨真伪。

买家对内存拆解后发现，

虽然该内存PCB上焊接的颗粒带有美光DDR5颗粒的专属FBGA代码D8DDZ，

通过技术分析得知，按照美光官方规格书，近日一名X平台用户发帖分享，

根据买家公开的图片显示，该内存颗粒的触点数量与位置与DDR5标准完全不符。

目前此类造假产品多见于个人闲置交易平台的盲盒或不退不换件中，且部分PCB焊盘处于闲置状态，