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可从堆叠内部带走热量。混合键合凉K海JEDEC正在讨论将HBM5的力士厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。即使到HBM4E阶段，急刹12层产品仍极有可能被用作主流产品。用不也悬
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，混合键合凉K海无需使用凸点，力士然而，急刹三星开发了HPB热通道模块，用不也悬将电绝缘、混合键合凉K海但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是力士发展方向。
SK海力士则推出iHBM技术，急刹
7月6日消息，用不也悬在封装内部加入独立热柱，混合键合凉K海有助于减小HBM厚度并改善散热。力士
混合键合技术在下一代HBM上的急刹全面应用可能比预期进一步延迟。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。行业分析师指出，
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，
届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。厚度标准松动后，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。散热问题也有了更简单的替代方案。即使到HBM5也可能暂不采用。短期内混合键合不会大规模部署，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，称可较现有产品降低超过30%热阻。据报道，
业内判断，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，不过混合键合的研发并未停滞。HBM4已放宽至775微米。
而HBM3E标准厚度为720微米，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。