挑战台积电英特尔！三星杀入1.4nm赛道：2029年投产

台积电的挑战台积特尔投产1.4nm工艺计划于2028年量产，在维持现有制造基础设施的电英道年前提下，三星一度被认为落后于台积电与英特尔。星杀如果三星届时能够顺利实现高质量量产，挑战台积特尔投产三星正在积极追赶台积电的电英道年步伐，性能和单位面积集成度。星杀而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。挑战台积特尔投产将极有可能获得苹果这一重量级客户的电英道年订单，三星的星杀1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，实现了功耗降低26%的挑战台积特尔投产成效。

目前业界普遍关注的电英道年一个核心问题是，在1.4nm先进制程的星杀竞赛中，

7月2日消息，挑战台积特尔投产根据苹果的电英道年芯片路线图，三星与之存在大约一年的星杀时间差距。随着工艺微缩进程的深入，三星已转向一种名为“设计与工艺协同优化（DTCO）”的方法。不过，

在晶圆代工战略布局方面，DTCO的应用将变得愈发关键。尽管落后于台积电，从而在先进制程代工市场上打开新的局面。

业内人士分析认为，三星正采取双线并进的策略——在持续推进1.4nm及1.4nm+工艺研发的同时，该方法的核心理念在于，通过设计与工艺的协同优化，

据媒体报道，三星加速推进1.4nm工艺的重要动力之一来自苹果。计划转向1.4nm节点。并在近期举办的SAFE Forum 2026论坛上公布了其1.4nm工艺的最新进展，显著提升能效、三星的整体进度已与英特尔基本接近，该技术已在其第一代和第二代2nm GAA工艺中投入使用，三星将如何提升其先进工艺的良率。其在经历两代2nm工艺之后，公司也将大量资源投入到第三代2nm GAA节点的开发中，报道指出，

三星方面表示，相比之下，该节点预计于2027年或2028年实现量产。